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Efficient Power Conversion(EPC)、オン抵抗7 mΩ、耐圧200 V、および5 mΩ、150 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売、シリコンとの特性の差を広げる

Efficient Power Conversion(EPC)、オン抵抗7 mΩ、耐圧200 V、および5 mΩ、150 Vの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを発売、シリコンとの特性の差を広げる

eGaN®パワー・トランジスタは、電力変換特性のバーを上げ続けています。低いオン抵抗、低い容量、大電流、および優れた熱特性によって、高い電力密度のコンバータを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年5月28日、電力変換特性のバーを上げるeGaN FETを2品種発売しました。2品種とも最大動作温度は150℃で、パルス電流能力は200 A(耐圧150 Vの「EPC2033」)と140 A(200 Vの「EPC2034」)です。用途は、DC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED(発光ダイオード)照明、産業用オートメーションなどです。

2品種とも、1 mmのはんだボール・ピッチが特徴であるEPC社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。実装面積が2.6 mm×4.6 mmと非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を実現するために、広いピッチにしたので、デバイスの下に、より大きなビアを追加して配置できます。

型番 耐圧
VDS
オン抵抗
RDS(on)
(標準値)
ゲート電荷QG
(標準値)
ドレイン電
流ID
(パルス)
サイズ 価格
(1000個購入時の単価)
EPC2033 150 V 5.0 mOhm 10 nC 260 A 2.6 mm x 4.6 mm 4.25米ドル
EPC2034 200 V 7.0 mOhm 8.5 nC 140 A 2.6 mm x 4.6 mm 4.37ドル

開発基板

今回の高性能eGaN FETの評価プロセスを単純化するための開発基板「EPC9047 」を用意しました。この基板は、EPC2033の「回路内」における特性評価をサポートします。すべての重要な部品を搭載し、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができます。