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eGaN FETは負荷範囲が広い無線エネルギー伝送で高効率

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eGaN FETは負荷範囲が広い無線エネルギー伝送で高効率

ZVSのD級またはE級のアンプを使って共振動作をするとき、eGaN®FETは、疎結合のワイヤレス・パワー伝送のソリューションにおいて、高い効率が得られることを以前に示しました。ただし、実際のワイヤレス・パワー・システムは、システムの利便性の要素に対処する必要があり、この結果、負荷や結合の変化に従って、共振から大きく離れることができる反射コイル・インピーダンスになります。これらのシステムは、依然として負荷に電力を供給する必要があるので、アンプは、広いインピーダンス範囲にわたってこのコイルを駆動しなければなりません。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対処するためにコイルの広いインピーダンス範囲を規定しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができます。ZVSのD級やE級のアンプへのこの実装は、固有の動作範囲の制限を決めるために、インピーダンス範囲を縮小したA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされるでしょう。デバイスの温度や電圧の制限などの要素が、各アンプが駆動することができる負荷インピーダンスの範囲の境界を決定するでしょう。

中国のBodos China誌
2015年6月
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