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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN集積回路のファミリーを拡大、120 V、60 mΩでデュアルのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタを発売、ワイヤレス・パワー伝送に最適

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN集積回路のファミリーを拡大、120 V、60 mΩでデュアルのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタを発売、ワイヤレス・パワー伝送に最適

120 V、60 mΩでデュアルのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー集積回路EPC2110は、ワイヤレス・パワー伝送のE級アンプの用途において、超高速スイッチングの優れた特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2015年9月11日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム集積回路ファミリーの最新製品「EPC2110」を発売しました。

EPC2110は、面積が1.35 mm×1.35 mmと小型のデュアル(共通ソース)のeGaN FETです。耐圧120 VDS、最大電流20 Aで、ゲートに5 Vを印加したときの最大オン抵抗RDS(on)は60 mΩ。このGaN集積回路は、超高速スイッチング、超低オン抵抗、非常に低いゲート電荷QGといった高性能化を実現し、非常に小型のパッケージで提供します。

EPC2110は、同程度のオン抵抗を備える最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、非常に小型で、スイッチング特性が何倍も優れています。このeGaN ICの特性が貢献する回路の用途には、超高速DC-DC変換、同期整流、D級オーディオ・アンプがあり、とりわけワイヤレス・パワー伝送では大きく貢献します。

米国での参考価格と購入方法EPC2110の1000個購入時の単価は、1.06米ドルで、Digi-Key社のウエブサイトで購入でき、即座に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。