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パワー・エレクトロニクス向けeGaN FETの進化

分類: 記事
パワー・エレクトロニクス向けeGaN FETの進化

オン抵抗が小さく、スイッチング速度が速く、熱インピーダンスが小さく、物理的なサイズが小さいという利点を兼ね備えたeGaN FETは、パワー・トランジスタ特性の水準を上げ続けています。GaN技術が発展するにつれて、パワー・トランジスタの特性を急速に向上するだけでなく、コストの大幅な削減も実現しています。GaNデバイスは、新しいアプリケーションを可能にし続けるだけでなく、コスト重視のアプリケーションでもシリコン・パワー・トランジスタを置き換えるでしょう。実際、この最初の兆候は、すでにここにあります。

米Power Systems Design誌
By: Johan Strydom博士
2015年9月26日
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