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eGaN FET搭載の帯域幅20 MHzの包絡線追跡電源

分類: 記事
eGaN FET搭載の帯域幅20 MHzの包絡線追跡電源

この記事では、4G LTEの無線基地局インフラ向け高速eGaN® FETであるEPC8004を使う包絡線追跡電源を説明します。eGaN FETを使った4相ソフト・スイッチングのバック(降圧型)・コンバータを備えた包絡線追跡電源は、全体の効率が92%以上で20 MHz、7db PAPRのLTEの包絡線信号を正確に追跡することができ、平均電力60 Wを供給します。この設計は、異なるeGaN FETを選ぶことによって、異なる電力レベルに対応するためにスケーラブルです。

Bodo’s Power Systems誌
Yuanzhe Zhang博士、Michael de Rooij博士
2016年3月
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