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Efficient Power Conversion(EPC)、非常に低い故障率で170億フィールド-デバイス時間以上をまとめた信頼性レポートを公表

Efficient Power Conversion(EPC)、非常に低い故障率で170億フィールド-デバイス時間以上をまとめた信頼性レポートを公表

EPC社のフェーズ7の信頼性レポートは、eGaN®FETが確かな信頼性を備えており、従来のシリコン・デバイスを置き換える信頼できるソリューションであることを示しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年3月14日、合計170億フィールド-デバイス時間以上での分布を示し、ストレス下で700万等価デバイス-時間以上のテスト・データの詳細をまとめたフェーズ7の信頼性レポートを発表しました。ストレス・テストには、断続動作寿命(IOL:intermittent operating life)、初期寿命故障率(ELFR:early life failure rate)、 バイアスを加えた湿気、温度サイクル、静電気放電などが含まれています。この研究では、フィールドに存在する製品に対して、複合FIT率は0.24であり、この値は、現在までのEPC社の現場でのすべての評価と一貫性があり、eGaN FETは、商用の電源スイッチング用途向けに、成熟したシリコンを補完する準備ができていることを実証しています。

「新技術の信頼性の論証は、大きな課題であり、EPC社が非常に真剣に取り組んでいるものです。この研究結果は、当社の窒化ガリウム製品が半導体技術の選択肢としてシリコンを置き換えるために必要な信頼性を備えていることを示しています」とCEO(最高経営責任者)で共同創立者であり博士号を持つAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

このレポートのために、EPC社のeGaN FETには、シリコン・ベースのパワーMOSFETに対して一般的な条件の下で広範囲なストレス・テストを実施しました。eGaN FETには、可能な限り、最新のJEDEC(半導体技術協会)規格を満たすようにストレスを与えました。このテストには以下が含まれます:

  • 高温逆バイアス(HTRB:High]temperature reverse bias)
  • 高温ゲート・バイアス(HTGB:High temperature gate bias)
  • 温度サイクル(TC:Temperature cycling)
  • 高温高湿逆バイアス(H3TRB:High temperature high humidity reverse bias)
  • 初期寿命故障率(ELFR)HTRB
  • 断続動作寿命(IOL)

EPC社の広範な信頼性試験では、デバイスが本質的かつ環境的に信頼性があることを示し続けます。信頼性試験プログラムの7フェーズのすべては、epc-co.comでご覧いただけます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。