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なぜGaN回路は、Lidarを高性能化できるのですか

分類: 記事
なぜGaN回路は、Lidarを高性能化できるのですか

この短いビデオで、EPC社のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、GaN FETがLidar (光による検出と距離の測定)の解像度を数インチ(1インチは2.54cm)まで高めることができる回路を構成できる理由を説明します。同じ役目を果たす従来のシリコンFETは、わずか数フィート(1フィートは30.48cm)の解像度を得ることしかできないでしょう。この秘密は、GaN FETによって、超高速の立ち上がり/降下時間を実現できるからです。

米Design World誌
2016年4月11日
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