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チップスケール・パッケージ封止の窒化ガリウム・トランジスタで熱特性を改善

分類: 記事
チップスケール・パッケージ封止の窒化ガリウム・トランジスタで熱特性を改善

より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN® FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
David Reusch博士、Alex Lidow博士
2016年6月1日
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