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Efficient Power Conversion(EPC)、GaN技術の信頼性をまとめた信頼性レポートを公開、何100万デバイス時間もの厳格なストレス・テストによる評価結果

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN技術の信頼性をまとめた信頼性レポートを公開、何100万デバイス時間もの厳格なストレス・テストによる評価結果

EPCの信頼性レポートのフェーズ8は、GaNデバイスが合計800万デバイス-時間以上で故障ゼロだったという報告です。このレポートでは、品質認定された製品として製品化される前に、EPCのデバイスに実施されたストレス・テストを詳細に評価し、故障の物理を分析しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2016年8月1日、製品の品質を認定する前に、eGaN FETと集積回路に実施されたJEDEC(半導体技術協会)規格に基づく厳格な品質認定ストレス・テストの結果を示すフェーズ8の信頼性レポートを公表しました。

このレポートでは、実際に何100万デバイス時間を超える製品固有の詳細なストレス・テストの結果が示されています。製品の品質認定ストレス・テストに加えて、フィールドでの実績、デバイスの動作寿命にわたる故障、基板レベルの信頼性など、信頼性のこの他の分野に対する適切な評価も必要です。具体的には、このフェーズ8の信頼性レポートで実施したテストは3つの部分に分けられます:

  • I:フィールド信頼性の実績
    • フィールド故障の調査
    • アセンブリでの故障
    • アプリケーションでの故障
    • チップ自体の品質
  • II:初期寿命故障と摩耗故障の性能
    • 初期寿命故障率
    • エレクトロマイグレーション
  • III:基板レベルの信頼性と熱機械的性能
    • 断続動作寿命
    • 温度サイクル
    • 基板レベルの信頼性

1 FIT(10億時間当たりの故障数)以下の非常に低い故障率と共に、170億デバイス動作時間以上の蓄積をまとめたフェーズ7の信頼性レポートで示されたeGaN FETとICの優れたフィールド信頼性に加えて、このレポートでは、ストレスに基づく品質認定試験によって顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することができることも示しています。累積した信頼性情報は、eGaN FETとICには確かな信頼性があり、今日、製造された最終製品の合理的な寿命の中で非常に低い故障確率で動作可能であることを示しています。

「新技術の信頼性の証明は、重要な仕事であり、当社が非常に真剣に取り組んでいるものの1つです。報告された結果と共に、このレポートに記載されたテストは、当社の窒化ガリウム製品が半導体技術の選択肢としてシリコンを置き換えるために必要な信頼性を備えていることを示しています」とEPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。