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Efficient Power Conversion(EPC)、MOSFETを超えるeGaN FETの超高速遷移特性を実証する開発基板を製品化、自動運転車のLiDARシステム特性を向上

Efficient Power Conversion(EPC)、MOSFETを超えるeGaN FETの超高速遷移特性を実証する開発基板を製品化、自動運転車のLiDARシステム特性を向上

EPC9126に搭載されている超高速遷移eGaN®FETは、5 nsと狭い全パルス幅の大電流パルスでレーザー・ダイオードを駆動することができるので、LiDARシステムが検出する精度、解像度、処理速度などの情報品質を向上させます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2017年1月19日、耐圧100 Vで大電流パルスのレーザー・ダイオード・ドライバ評価基板「EPC9126」を製品化しました。自動運転車の用途で物体を検出するために使われるLiDAR(光による検出と距離の測定)システムでは、検出の速度と精度が重要です。この基板で実証されているように、eGaN FETの高速遷移特性は、同等のMOSFETよりも最大10倍高速にレーザーを駆動するパワー・パルスが得られるので、LiDARシステム全体の特性を向上できます。

開発基板EPC9126は、主にレーザー・ダイオードを駆動することを目的としており、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバUCC27611によって駆動される接地基準のeGaN FETであるEPC2016Cを搭載しています。EPC2016Cは、最大電圧100 Vのデバイスで、全パルス幅が5 nsよりも狭いパルス電流を最大75 Aまで供給可能です。この基板は、より大きな電流供給能力を必要とするユーザー向けに、最大150 Aのパルス電流定格を備えた100VのeGaN FET(EPC2001C)も搭載できます。

この基板には、レーザー・ダイオードを実装するための複数の超低インダクタンスの接続オプションがあり、コンデンサ(出荷時)を放電するか、または電源バスから直接駆動することができます。この基板には、レーザー・ダイオードが含まれていないので、特定のアプリケーションを評価するために、ユーザーが調達してください。

このプリント回路基板は、レーザー・ダイオード取り付けの柔軟性を維持しながら、電力ループのインダクタンスを最小限に抑えるように設計されています。電圧と放電コンデンサの電流を測定するための複数のパッシブ・プローブが基板上に配置されており、50Ωの測定システム用に設計された入力と検出のためのSMA接続を備えています。さらに、ユーザーは、オプションの高精度の狭パルス発生器を利用することができます。

最後に、この基板は、例えば、E級や類似の回路で、接地基準のeGaN FETを必要とする他のアプリケーションにも使えます。

米国での参考価格と購入方法

100 Vで大電流パルスのレーザー・ダイオード・ドライバ評価基板EPC9126の単価は、181.25米ドルで、Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入できます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。