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GaNオン・シリコンのパワー・デバイス:シリコン・ベースのパワーMOSFETを退陣させる方法

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GaNオン・シリコンのパワー・デバイス:シリコン・ベースのパワーMOSFETを退陣させる方法

効率的な電力変換のために設計された窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタは、7年間、生産されています。GaNの優れたスイッチング速度によって、光による検出と距離の測定、包絡線追跡、無線充電などの新しい市場が生まれました。これらの市場は、GaN製品が大量生産、低製造コスト、そして信頼性が高いとの評判を得ることを可能にしました。これらのすべてがDC-DCコンバータ、AC-DCコンバータ、自動車などのアプリケーションで、より保守的な設計技術者が評価プロセスを始めるための十分なインセンティブになっています。では、120億米ドルのシリコン・パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)市場が転換するための残りの障壁は何ですか? それは、自信です。

Alex Lidow
2017年3月
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