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GaN FET がD級オーディオ・アンプのフィデリティと効率を改善

分類: 記事
GaN FET がD級オーディオ・アンプのフィデリティと効率を改善

D級オーディオ・アンプのアーキテクチャが成熟した現在、アンプのフィデリティ(忠実度)と効率の限界は主に、デバイス・レベルにあります。シリコンMOSFETは、ほぼ40年間進化していますが、完全なスイッチへの進展は、劇的に減速しています。音質と効率を低下させるMOSFETの基本的な特性がいくつかあります。2010年には、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・パワーFETがEfficient Power Conversion(EPC)によって製品化され、完全なスイッチに向けて大きなステップを踏み出しました。

米Audio Engineering Society
2017年5月11日
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