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Efficient Power Conversion(EPC)、高周波GaN FETとゲート・ドライバを組み合わせたeGaN ICを2品種発表、高効率化、小型化、低コスト化が実現可能

Efficient Power Conversion(EPC)、高周波GaN FETとゲート・ドライバを組み合わせたeGaN ICを2品種発表、高効率化、小型化、低コスト化が実現可能

GaNベースのモノリシック集積化ソリューションのEPC2112EPC2115は、パワー・システム設計者に非常に小さなサイズで効率を高められる能力を提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2018年3月7日、ドライバも集積したエンハンスメント・モードのモノリシックGaNパワー・トランジスタ「EPC2112」と「EPC2115」の2品種を発売しました。EPC2112は、耐圧200 V、最大オン抵抗40 mΩのeGaN® FETとゲート・ドライバを集積しています。EPC2115は、耐圧150 V、最大オン抵抗70 mΩのデュアルeGaN FETとゲート・ドライバを集積しています。2品種とも最高7 MHzで動作可能で、インダクタンスが小さく、2.9 mm × 1.1 mmと超小型の表面実装BGA(ボール・グリッド・アレイ)パッケージのパッシベーションしたチップで提供します。

これらのモノリシックICによって、シリコン・ベースのソリューションに比べて、効率を高められ、スペースを節約でき、コストを削減できます。eGaN FETの超低容量と逆回復ゼロという特徴は、多くの回路構成で高効率な動作が可能になります。

どちらの製品でも、集積したドライバは、eGaNデバイスに専用化してあるので、さまざまな動作条件の下で最適な特性が得られます。低インダクタンスで実装面積が小さいので、一段と特性が向上します。モノリシック化することによって、相互接続のインダクタンスを除去しているので、高周波での効率が向上します。これは、共振型ワイヤレス・パワーや高周波DC-DC変換などの周波数の高いアプリケーションで特に重要です。

これらの新しいICの設計例として、差動E級アンプ開発基板2品種を用意しています。EPC9089は、AirFuel™アライアンス互換のクラス4(33 W)で、EPC2112を使っています。一方、EPC9088 は、EPC2115を使ったクラス3(16 W)のアンプです。EPC2112は、300 kHzのSEPIC(シングルエンド・プライマリ・インダクタ・コンバータ)の低電圧DC-DC用途向けの新しいデモ・ボードEPC9131にも搭載されています。

米国での参考価格と購入方法

ゲート・ドライバとGaN FETをモノリシックに集積化したEPC2112の1000個購入時の単価は3.29米ドル、デュアルGaN FETとゲート・ドライバを集積したEPC2115の1000個購入時の単価は3.44ドルです。

開発基板のEPC9088EPC9089の単価は、それぞれ158.13ドルと159.13ドルです。

EPC9131の単価は215.62ドルです。

これらのすべての製品は、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.jp/ja/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier)で購入できます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。