電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験 Posted 2020年9月14日 分類: 記事 半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。 独Bodo’s Power Systems 2020年9月 記事を読む タグ: eGaN FET 窒化ガリウム GaN テスト ストレス 最も閲覧された関連記事 Efficient Power Conversion（EPC）、大量アプリケーションにおいてeGaN FETとICを使う高電力密度ソリューションを展示へ、APEC 2021のバーチャル会議＋展示会で 新しいシリコン：なぜ窒化ガリウムが、未来のパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスになるのか、EPC社CEOが語る GaNの利用法：大電流用途向け高速eGaN FETの並列接続 Efficient Power Conversion（EPC）、eGaNパワー・トランジスタを発売、シリコンがこれまで実現できなかったコスト・速度の壁を破る EPC8000ファミリー、Bodo’s Power Systems誌の「今月の環境に優しい製品」として脚光を浴びる