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GaNとSiCの次の波

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GaNとSiCの次の波

窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ(WBG)半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
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