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Efficient Power Conversion(EPC)、高電力密度の通信、ネットコム、コンピューティングのソリューションに最適な定格40 VのeGaN FETを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、高電力密度の通信、ネットコム、コンピューティングのソリューションに最適な定格40 VのeGaN FETを発売

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.3 mΩのeGaN® FETであるEPC2067を発売し、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、MOSFETよりも小型、高効率で、信頼性の高いデバイスを提供します。

エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月27日、eGaN FETの「EPC2067」(標準1.3 mΩ、40 V)を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。

EPC2067は、48 V〜54 V入力のサーバーなど、高電力密度化に対する厳しい要件があるアプリケーションに最適です。より小さいゲート電荷と逆回復損失ゼロによって、最先端の電力密度が得られ、面積がわずか9.3 mm2、高効率で1 MHz以上の高周波動作が可能です。

「EPC2067は、LLC DC-DCコンバータの2次側向けに、40 V~ 60 V入力、12 V出力の理想的なスイッチになります。この40 Vのデバイスは、前世代の40 VのGaN FETと比べて性能とコストが改善されているので、経済的に、 効率と電力密度を向上できます」と共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

開発基板

開発基板のEPC90138は、最大デバイス電圧40 V、最大出力電流40 Aで、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジで、eGaN FETのEPC2067を搭載しています。この2インチ✕ 2インチ(50.8 mm✕ 50.8 mm)の基板は、最適なスイッチング特性を実現するために設計されており、EPC2067を簡単に評価するためのすべての重要な部品が搭載されています。

EPC2067とEPC90138はいずれも、米Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)から入手できます。

米国での参考価格と入手方法

eGaN FET のEPC2067の単価は、1000個/リール購入時に2.69米ドルです。 開発基板のEPC90138の単価は123.75ドルです。

EPC2067とEPC90139はいずれも、Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)で購入でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。