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Efficient Power Conversion(EPC)、高電力密度の電力変換やLidarの用途向けに定格100 VのeGaNパワー・トランジスタを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、高電力密度の電力変換やLidarの用途向けに定格100 VのeGaNパワー・トランジスタを発売

EPC2070は、非常に小さなチップスケール・パッケージに封止し、パルス化した34 Aの電流供給能力がある定格100 V、最大オン抵抗23 mΩのパワー・トランジスタです。この新しいデバイスは、60 W、48 Vのパワー・コンバータ、Lidar(光による検出と距離の測定)、LED(発光ダイオード)照明などのアプリケーションに最適です。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月7日、面積が1.1 mm2と超小型で、高効率の電力変換を実現する最大オン抵抗RDS(on)が23 mΩ、パルス出力電流34 Aで定格100 VのGaNトランジスタ「EPC2070」を発売したと発表しました。.

より高い効率と電力密度を要求する用途では、もはや大きさと性能のどちらかを選択する必要がなくなりました。EPC2070は、シリコンMOSFETに匹敵する低価格で、GaN FETの性能が得られます。この高性能、小型、低コストの恩恵を受ける用途には、コンピューティングや通信システム向けの最大60 Wで48 V入力のパワー・コンバータ、カメラ・モジュール向けの垂直共振器型面発光レーザーVSCELを使った飛行時間(ToF:Time of flight)モジュール、ノート・パソコン、スマートフォン、LED(発光ダイオード)照明、D級オーディオなどがあります。

「eGaNベースのパワー・デバイスが高周波において高効率で動作する能力は、シリコンとの性能とコストのギャップを広げます。100 VのEPC2070は、第5世代の製品ファミリーに追加された優れた製品であり、シリコンMOSFETで可能な電力密度よりも高い電力密度を実現できます」とCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

開発基板

開発基板のEPC90141は、ゲート駆動回路を備えた最大デバイス電圧100 Vのハーフブリッジであり、eGaN FET のEPC2070を搭載しています。面積2インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)のこの基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、EPC2070を簡単に評価するためのすべての重要な部品を搭載しています。

米国での参考価格と入手方法

eGaN FETのEPC2070の単価は、2500個購入時で0.67米ドルです。

開発基板EPC90141の単価は123.75ドルです。

EPC2070およびEPC90141は、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から購入できます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion:

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]