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Efficient Power Conversion(EPC)、使いやすい設計ツールを発表、高性能窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・システム設計の市場投入までの時間を短縮へ

Efficient Power Conversion(EPC)、使いやすい設計ツールを発表、高性能窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・システム設計の市場投入までの時間を短縮へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、高性能GaNベース設計のための設計ツール、モデル、および性能シミュレーションの設計支援を拡張し、提供します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は1月19日、GaNベースの設計から最適な性能を得られるように支援する一連の設計ツールGaN Power Bench™を公開したと発表しました。eGaN® FET と ICは、今日の最先端アプリケーションの厳しい電力密度の要件を満たすことができる高速スイッチング、高効率、小型化を提供します。GaN Power Bench のツールは、そのアプリケーションに最適なGaNデバイスの選択を支援し、その設計の熱特性をシミュレーションして最適化でき、理想的な性能を得るために必要な最適な設計のヒントを迅速かつ簡単に複製するために必要なすべてのサポート資料とアプリケーション例を提供します。

GaN Power Benchのツールには以下があります:

バック(降圧型)・コンバータ向けのGaN FETセレクション・ツール

バック・コンバータ・カリキュレータ向けのGaN FETセレクション・ツールは、ハードスイッチングのバック・コンバータの評価と計算を使う拡張された製品選択ツールです。設計者は、指示された設計パラメータを入力して、消費電力によってランク付けされたデバイスの選択を受け取り、パラメータの可能なトレードオフを決定できます。このセレクション・ツールの目的は、特定のパワー・システム設計のニーズに適合する最適なGaN FETを見つけることに役立てることです。将来、回路構成を追加する予定です。

GaN FETサーマル・カリキュレータ

GaN FETサーマル・カリキュレータは、強制対流による基板側の冷却と、ヒート・スプレッダとヒートシンクで構成される熱ソリューションによる裏面冷却の両方の対象となるプリント回路基板に実装したGaNデバイスの熱性能パラメータの見積もりを迅速に提供します。このサーマル・カリキュレータは、プリント回路基板の構造(サイズ、積層、ビア密度)、チップ・サイズ、電力損失、TIM(熱伝導材料)、ヒートシンク・ソリューションを考慮しています。

クロスリファレンス検索

クロスリファレンス検索は、多くのシリコン・ベースのパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスからeGaN FETへ代替やクロスリファレンスへの即時アクセスを提供します。このツールを使うと、それぞれのデータシートを開かなくても、パラメータの違いを簡単に比較して、最適なeGaN FETを特定し、設計効率を高めることができます。単に、競合他社の部品番号を入力するだけで、推奨されるGaNデバイスの代替品を見つけることができます。

デバイス・モデル

EPCは、時間の無駄を最小化し、回路を迅速に設計して実装できるように、3次デバイス・モデルの包括的なリストを開発しました。各デバイスのモデルには、PSpice、LTSpice、TSpice、Spectre、Altium、3DStep、熱モデルを用意しました。

リファレンス・デザイン

EPCは、DC-DC変換、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)、D級オーディオなどのアプリケーション向けのリファレンス・デザインを提供し続けています。すべてのリファレンス・デザインには、理想的な性能を得るために、すばやく簡単に複製するための最適な設計のヒントに必要なすべてのサポート資料が含まれています。

EPCのグローバル・フィールド・アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのAndrea Gorgerinoは、「GaN Power Bench の中にあるようなユーザー・フレンドリーなツールによって、設計者は、aNベースの設計から、最適な性能を簡単に引き出すことができるようになります」とコメントしています。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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