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Efficient Power Conversion(EPC)、出力電圧を安定化したリファレンス・デザイン基板を備えた2 kW、48 V / 14 Vの ePowerチップ・セット搭載双方向コンバータを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、出力電圧を安定化したリファレンス・デザイン基板を備えた2 kW、48 V / 14 Vの ePowerチップ・セット搭載双方向コンバータを発売

EPC9170は、出力電圧を安定化した48 Vと14 Vの2相双方向コンバータです。ピーク効率96.8%で2 kWを供給できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は1月26日、小さな実装面積、ピーク効率96.8%、2 kWで、48 Vと14 Vとの間の2相双方向コンバータ「EPC9170」を発売しました。この基板は、100 V、65 AのePower™チップ・セットを搭載しています。このチップ・セットは、eGaN® IC のEPC23101とeGaN® FETのEPC2302で構成され、最大耐圧100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、1 MHzを超えるスイッチング速度で動作します。

窒化ガリウム(GaN)・デバイスの高速スイッチングと低損失によって、このコンバータは500 kHzで動作し、ソリューションのサイズを大幅に小型化でき、60 Aと110 Aの間で効率96.5%以上、140 Aでの効率95.8%が得られています。

EPC9170で使われる集積回路EPC23101の主な機能には、ゲート・ドライバ、入力論理インタフェース、レベル・シフト、ブートストラップ充電、ゲート駆動用バッファ回路、および外付けのローサイドeGaN FETを駆動するためのゲート・ドライバ出力、最大オン抵抗RDS(on)が3.3 mΩの集積化したハイサイドFETなどがあります。ドライバの集積化によって、設計がさらに簡素化され、寄生要素が削減されます。

EPC9170に搭載されているeGaN FET のEPC2302は、RDS(on)の標準値が、わずか1.4 mΩと非常に小さく、導通損失とスイッチング損失が小さく、ゲート電荷QG、ゲート-ドレイン間電荷QGD、出力電荷QOSSの各パラメータが非常に小さくなっています。

EPC23101とEPC2302は、この2つのデバイスの上部が露出し、ピン配置が最適化され、熱的に強化されたQFNパッケージに封止されています。チップ・セットの全実装面積は7 mm×5 mmであり、最高の電力密度が要求される用途向けに非常に小さなソリューション・サイズを提供します。

「eGaN FETとICは、48 Vから、12 Vおよび14 Vへのコンバータのサイズと重さをさらに削減するために必要な高速スイッチング、小型、高効率を提供します。EPC9170は、新しいePowerチップ・セットの機能の理想的な例であり、周波数と効率を高めて、より少ない位相数に対して、より小さなインダクタンスを実現し、スペースと重さが重要な設計において、より高い電力密度を実現できます」とCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

米国での参考価格と入手方法

デモ・ボードEPC9170の単価は498.00米ドルで、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から購入でき、即座に配送されます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion:

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]