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Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けに、市場で入手可能な最もオン抵抗が低い耐放射線トランジスタを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けに、市場で入手可能な最もオン抵抗が低い耐放射線トランジスタを発売

Efficient Power Conversion(EPC)は、現在市場に出回っている耐放射線トランジスタの中でオン抵抗が最も低いデバイスを使って、厳しい宇宙搭載環境やその他の高い信頼性が必要な環境での電力変換ソリューション向けに、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを発売しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月15日、耐放射線特性を強化したeGaN FETの「EPC7019」を発売したと発表しました。EPC7019は、耐圧40 V、オン抵抗1.5 mΩ、パルス電流530 APulsedの耐放射線eGaN FETで、実装面積が13.9 mm2と小型です。EPC7019の総線量定格は1 Mrad以上で、LETに対するSEE(シングル・イベント効果)耐性は85 MeV/(mg/cm2)です。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止版は、米EPC Space社から入手できます。

このデバイスの性能指数FoM(オン抵抗RDS(on)×ゲート電荷QG)は、代替の耐放射線シリコンのソリューションよりも20倍優れており、サイズは1/20です。GaNベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より小さいゲート電荷、より小さいスイッチング損失、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスよりも大幅に優れており、厳しい宇宙搭載ミッション向けに、より高いスイッチング周波数が可能になるため、より高い電力密度、より高い効率、より小型・軽量の回路が得られます。そして、GaNデバイスは、シリコンのソリューションよりも高い総放射線レベルとSEE LETレベルをサポートします。

EPC7019の性能と迅速な開発の恩恵を受ける用途には、衛星やミッション機器用の電源、ロボットや計装用のモーター駆動などがあります。

「EPCのGaN技術は、これまでに達成できなかった高い周波数、より高い効率、より高い電力密度で動作する宇宙での新世代の電力変換やモーター駆動を可能にします。EPC7019は、最高クラスのシリコンの耐放射線デバイスよりも20倍優れた性能指数を備えたソリューションを設計者に提供します。このデバイスは、現在市場に出回っている耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が低くなっています。さらに、EPC7019は、大幅に小型化され、低コストです」とCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

入手方法

EPC7019は、エンジニアリング・サンプリングを用意しており、2022年10月に大量出荷が可能になります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。