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Efficient Power Conversion(EPC)、超低オン抵抗で耐圧200 Vの耐放射線トランジスタを製品化へ、要求の厳しい宇宙用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、超低オン抵抗で耐圧200 Vの耐放射線トランジスタを製品化へ、要求の厳しい宇宙用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

同様のオン抵抗RDSonの耐放射線シリコン・デバイスと比べて、EPC7007は、ゲート電荷QGとゲート-ドレイン間電荷QGDが1/40で、逆回復電荷QRRがゼロです。面積は1/40と小型です。GaNベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より低いゲート電荷、より小さいスイッチング損失、より優れた熱伝導率、非常に低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスよりも大幅に優れており、より高いスイッチング周波数、より高い電力密度、より高い効率が得られ、厳しい宇宙搭載ミッションのためのより小型・軽量な回路が実現可能になります。GaNデバイスは、シリコン・ソリューションよりも高い総線量レベルとSEE LETレベルもサポートします。

EPC7007の性能と迅速な開発の恩恵を受ける用途には、DC-DC電源、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)、宇宙深部探査ロケット、および、宇宙用途、衛星、航空機搭載電子機器用のイオン・スラスタなどがあります。

「EPCのGaN技術は、これまでにないほど高い周波数、高い効率、高い電力密度で動作する宇宙での新世代の電力変換とモーター駆動を可能にします。EPC7007は、最高クラスのシリコンの耐放射線デバイスよりも50倍優れた性能指数FOM(figure of merit)を備えたソリューションを設計者に提供します。EPC7007は、耐放射線ファミリーの電圧範囲を200 Vに拡張し、設計者に、シリコンよりも大幅に小型で低コストのソリューションを提供します」と、CEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。 「

入手方法

EPC7007は、エンジニアリング・サンプルを用意しており、2022年12月に大量出荷が可能になります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。