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GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

分類: 記事
GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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