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Efficient Power Conversion(EPC)、35 AのGaN ePower Stage ICを製品化、電力密度を高め、設計を単純化

Efficient Power Conversion(EPC)、35 AのGaN ePower Stage ICを製品化、電力密度を高め、設計を単純化

Efficient Power Conversion(EPC)は、1 MHz動作で最大 35 Aの能力を備えた完全な GaN ハーフブリッジ ・パワー段を集積した最新の ePower™ Stage ICを製品化し、DC-DC変換、モーター駆動、 D級オーディオ・アンプなどの高電力密度アプリケーション向けに高性能で小型ソリューション・サイズを実現できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月10日、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDC モーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、35 Aの集積回路を製品化したと発表しました。

このeGaN IC「EPC23102」 は、最大耐圧100 Vで、最大35 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度は1 MHz以上です。

  • EPC独自のGaN IC技術を使った 集積回路EPC23102は、入力論理インタフェース、レベル・シフト、ブートストラップ充電、ハーフブリッジ・パワー段として構成されたオン抵抗 6.6 mΩのハイサイドFETとローサイドFETを制御するゲート駆動用バッファを集積しています。
  • EPC23102 は、実装面積がわずか3.5 mm×5 mmの熱的に強化されたQFNパッケージが特徴で、最高の電力密度の用途向けに非常に小型なソリューション・サイズを実現できます。

EPC23102 は、48 V入力、12 V出力のバック(降圧型)・コンバータで動作する場合、1 MHzのスイッチング周波数でピーク効率96%以上、定格電流は35 Aで、連続負荷電流は約8~17 Aを実現しています。

「ePowerファミリーの製品によって、 GaN技術で可能になった大幅な性能向上の利点を簡単に活用できます。集積化デバイスは、設計、レイアウト、組み立てが容易で、プリント回路基板のスペースを節約し、効率を高められます。これらのデバイスを使って、より軽量でより正確なBLDCモーター駆動、高効率の48 V入力のDC-DCコンバータ、忠実度の高いD級オーディオ・システム、および、その他の産業用や民生用のアプリケーションを構成できます」と共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

開発基板

開発基板EPC90147は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流35 Aで、ePower Stage ICのEPC23102を備えたハーフブリッジです。この基板の目的は、EPC23102の評価プロセスを単純化することです。この面積 2インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)の基板は、最適なスイッチング性能を実現するように設計されており、簡単に評価できるようにすべての重要な部品を搭載しています。

米国での参考価格と入手方法

EPC23102の1000個購入時の単価は5.40米ドルです。

開発基板のEPC90147の単価は200.00ドルです。

すべてのデバイスと基板は、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から購入でき、即座に配送されます

シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCの GaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索クロスレファレンス検索.aspxにあります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡自動車パワー・インバータリモート・センシング技術(Lidar)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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