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Efficient Power Conversion(EPC)、車載エレクトロニクスや先進的な自動運転向けの新しい車載品質GaN FETを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、車載エレクトロニクスや先進的な自動運転向けの新しい車載品質GaN FETを発売

EPCは、80 Vの車載品質AEC-Q101認定の新しい GaN FETを2品種発売し、自動車の48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、インフォテインメント、自動運転用Lidar向けのシリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月8日、面積が2.5 mm×1.5 mmでパルス電流125 Aを供給できる耐圧80 V、オン抵抗6 mΩの「EPC2204A」、および 面積3.5 mm×1.95 mmでパルス電流231 Aを供給する80 V、3.2 mΩ の「EPC2218A」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。48 Vと12 Vの間の変換用の車載用DC-DC、インフォテインメント、自動運転用Lidar(光による検出と距離の測定)向けのシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

EPC2204AとEPC2218Aは、マイルドハイブリッド車用の 48 Vと12 Vの間の双方向コンバータ、乗用車やトラックの24 Vと48 VのDC-DC、インフォテインメント、照明、ADAS(先進運転支援システム)など、高電力密度の厳しい要件の用途に最適です。

ゲート電荷(QGD)が小さく、逆回復損失がゼロなので、1 MHz以上の高周波動作が可能です。さらに、面積が超小型で高効率なので、これらの要因によって、最先端の電力密度が実現できます。

例として、2 kW~4 kWで48 Vと12 Vの間のコンバータの場合、GaNデバイスは、シリコン MOSFETのソリューションの5倍の周波数にできます。インダクタンスが1/4なので、コイルのサイズと損失を小さでき、1相当たりの電流を40%増やせ、位相を最大半分に短くできるので、システム・コストを削減し、サイズを半分にできます。サイズが小さいにもかかわらず、効率は最大 98%になり、MOSFETのソリューションよりも2%以上高くなります。

自動車のインフォテインメント用途に使われるような低電力DC-DCの場合、GaNは2 MHz以上での動作が可能なので、干渉を回避して最も小型なソリューション・サイズを実現できます。

サブナノ秒の遷移と3 ns以下の大電流パルスを生成する能力を備えたGaNの高速スイッチング速度によって、自動運転、駐車、衝突回避のためのLidarで、より長距離の範囲とより高い解像度が可能になります。

「EPC2204AとEPC2218Aは、自動車用Lidarと48 VのDC-DCに最適なスイッチです。これらの80 Vのデバイスは、高効率の自動車の電化と先進的な自動化用途の性能とコストを改善します。当社は、15 V~100 Vの範囲のデバイスを大量に出荷し、自動車市場に積極的に取り組んでおり、さらに多くの製品を発売する予定です」とCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

米国での参考価格と入手方法

EPC2204Aの単価は1000個購入時で1.55米ドル、EPC2218Aは1000個購入時に3.01ドルです。EPC2204Aと EPC2218A は、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から購入でき、即座に配送されます。

シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索にあります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)リモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。