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eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW/立方インチを超える電力密度を実現します

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eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW/立方インチを超える電力密度を実現します

コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW/立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

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