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Efficient Power Conversion(EPC)、市場で最も低いオン抵抗の150 Vおよび200 VのGaNトランジスタ2品種を発売

Efficient Power Conversion(EPC)、市場で最も低いオン抵抗の150 Vおよび200 VのGaNトランジスタ2品種を発売

Efficient Power Conversion(EPC)は、耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータ、モーター駆動向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズと低コストを提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)のFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月14日、表面が露出し、実装面積が3 mm×5 mmと小さい熱的に強化されたQFNパッケージに収めた耐圧150 V、オン抵抗3 mΩのEPC2305と、200 V、5 mΩのEPC2304の2品種のGaN FETを発売したと発表しました。

これらのデバイスは、市場で最も低いオン抵抗(RDS(on))のFET であり、耐圧150 Vと200 Vの2品種で、サイズが同等のSi MOSFETの1/15と小型です。このデバイスは、オン抵抗が半分で面積が1/15であることに加えて、ゲート電荷QG、ゲート-ドレイン間電荷QGD、出力電荷QOSSは、Si MOSFETの1/3以下と小さく、逆回復電荷(QRR)はゼロです。これらの特性によって、スイッチング損失は、ハードスイッチングとソフトスイッチングの両方の用途で1/6になります。ドライバの損失は、シリコン・ソリューションの1/3となり、リンギングとオーバーシュートは、いずれも大幅に減少します。

正弦波BLDCモーター駆動の場合、これらのデバイスは、20 ns以下のデッドタイムと、より高い周波数が可能なので、雑音を低減でき、サイズを最小化してモーターとの統合を可能にすることで、入力フィルタを削減し、電解コンデンサを排除し、振動や歪みをなくすことによってモーターとドライバを合わせた効率を8%以上向上させます。これによって、フォークリフト、電動キックボード、イーモビリティ、ロボット、電動工具などのモーター駆動に最適です。

80 V~20 Vで動作するDC-DC変換の場合、EPC2304とEPC2305は、より高いスイッチング周波数と、最大5倍の密度、および冷却を簡素化するためのより高い効率を可能にします。

これらのデバイスは、太陽光発電用のオプティマイザやマイクロインバータに必要なより高い効率、小型・軽量化、高い信頼性も提供します。

この新しいデバイスは、以前に製品化した100 V、1.8 mΩのEPC2302、100 V、3.8 mΩのEPC2306、および150 V、4.9 mΩのEPC2308とフットプリントの互換性があり、設計の柔軟性を最大限に高めます。

「EPC2304とEPC2305は、組み立てが簡単で熱的に強化されたQFNパッケージ封止の当社のデバイス・ファミリーを150 Vと200 Vに拡張します。この製品ファミリーを使って、小型・軽量のBLDC モーター駆動回路、小型でより高効率なDC-DCコンバータ、太陽光発電用のオプティマイザとマイクロインバータ、および、高電力密度のUSB充電器や電源を設計できます。フットプリントの互換性によって、基板を再設計することなく、性能とコストを最適化できます」とCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

開発基板

開発基板のEPC90140は、GaN FETのEPC2304 を搭載したハーフブリッジであり、開発基板EPC90143は、GaN FETのEPC2305を搭載したハーフブリッジです。これらの基板の目的は、評価プロセスを単純化し、製品の市場投入までの時間を短縮することです。面積2インチ×2インチ(50.8 mm×50.8 mm)のこの基板は、最適なスイッチング性能を実現するように設計されており、簡単に評価できるようにすべての重要な部品が含まれています。

米国での参考価格と入手方法

EPC2304の1000個購入時の単価は5.25米ドル、EPC2305は 1000個購入時に4.95ドルです。

開発基板のEPC90140とEPC90143の単価は、いずれも200.00ドルです。 いずれのデバイスと基板も米Digi-Key社のウエブサイト( https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc)から購入でき、即座に配送されます。

シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索にあります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータリモート・センシング技術(Lidar)リモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。