EPCが第6世代のeGaNを発表 Posted 2023年2月3日 分類: GaN市場ニュース, インタビュー Efficient Power Conversion（EPC）が製品化した新しい第6世代のデバイスは、同等のシリコンMOSFETの1/5と小型で、前世代のeGaNデバイスの2倍強力です。ビデオでCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）に聞きました。 エレクトロイクス・ニュース・サイトの独Electroniknet.de 2022年11月29日 ビデオを見る タグ: Alex Lidow MOSFET 窒化ガリウム シリコン GaN IC FET 次世代 最も閲覧された関連記事 Efficient Power Conversion（EPC）、大量アプリケーションにおいてeGaN FETとICを使う高電力密度ソリューションを展示へ、APEC 2021のバーチャル会議＋展示会で 新しいシリコン：なぜ窒化ガリウムが、未来のパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスになるのか、EPC社CEOが語る 米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業 How Enhancement Mode Gallium Nitride Transistors (eGAN FETs) Work - APEC 2012 ビデオ：ワイヤレス・パワー用GaN