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パッケージ不要のHEMTで高効率電力変換を実現

分類: 記事

パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow(アレックス・リドウ)は主張しています。

米Compound Semiconductor誌
2013年6月