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eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 13、Part 1:寄生成分が特性に与える影響

分類: 記事

シリコンMOSFETが可能とするよりも効率とスイッチング周波数を高くできるeGaN® FETのようなエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスの能力が、さまざまな用途で使われています。eGaN FETによって提供されるスイッチングの性能指数(FOM:figure of merit)の改善によって、高い性能を得るためには、パッケージやプリント回路基板のレイアウトの寄生成分が重要になります。この記事の最初のパートでは、スイッチング周波数1 MHz、入力電圧12 V、出力電圧1.2 V、最大出力電流20 Aで動作するeGaN FETおよびMOSFETに基づくPOL(負荷点)コンバータに対して、特性に及ぼす寄生インダクタンスの影響を検討します。

By David Reusch博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタ

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