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Efficient Power Conversion(EPC)、米テキサス・インスツルメンツ社からのGaN FET専用ゲート・ドライバを使って、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)FET搭載の開発基板をアップグレード

EPC9005は、接続が簡単な既製の開発基板と、十分に文書化された技術サポート資料によって、eGaN FETの設計の容易さを実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年4月9日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)の電界効果トランジスタ(FET)を搭載した開発基板「EPC9005」を製品化しました。この基板は、シリコンからeGaN FET技術に移行する作業を、eGaN FETに最適化されたゲート・ドライバICが、いかに簡単でコスト効率を高くするかを実証します。

開発基板EPC9005は、最大出力電流7 A、耐圧40 VのeGaN FETであるEPC2014を2個使ったハーフブリッジ構成で、eGaNデバイスに最適化した米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113を採用しています。この基板に使っているLM5113は、面積2 mm×2 mmのBGAパッケージに封止され、ドライバと2個のeGaN FETによる非常に小型なパワー段を実現できます。EPC2014は、高速DC-DC電源、POL(負荷点)コンバータ、無線充電、高周波回路などの用途向けに設計されています。

EPC9005は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる2インチ×1.5インチ(1インチは2.54cm)の単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化します。加えて、波形測定と効率計算を容易にするために基板上にさまざまなプローブ・ポイントを用意してあります。参照のため、および使いやすくするために、開発基板にクイック・スタート・ガイドも含まれています。

EPC9005の単価は99.18米ドル(米国での参考価格)で、すべてのEPC社の製品と同様に、Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。