ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する か、22828に「EPC」とテクスティングしてください

Efficient Power Conversion(EPC)、2013年のパワー・エレクトロニクス業界の会議APECで窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションを発表

パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC(Applied Power Electronics and Exposition Conference)2013において、EPC社のCEO(最高経営責任者)とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する半日セミナーや技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)のパワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年2月25日、APEC 2013において、教育セミナーと、アプリケーションに焦点を当てた数件の技術的なプレゼンテーションを行います。この会議は、3月17日~21日に、米国カリフォルニア州ロングビーチで開催されます。

APECのApplied Power Electronics™ のプレミア・イベントは、パワー・エレクトロニクス・ビジネスの実践と応用に焦点を当てています。これは、パワー・エレクトロニクスのすべての種類の部品や機器の利用、設計、製造、マーケティングといった広範囲のトピックに関心があるパワー・エレクトロニクスの専門家を対象とする主要な実践的な会議です。APECの詳細については、http://www.apec-conf.org/をご覧ください。

「APEC 2013の年次会議において、教育セミナーの実施や、GaN技術に焦点を当てた技術論文の発表に関して、技術審査委員会によって、EPC社のエキスパートが選ばれたことを光栄に思います。この選択は、GaN技術の優れた性能が、パワー・システムの設計エンジニアの関心の的となり、受け入れられることが多くなってきているという私たちの確信を裏付けるものです」と、EPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

教育セミナー:GaN Transistors for Efficient Power Conversion(高効率電力変換用GaNトランジスタ)
3月17日(日)(S. 7、2:30 pm~6:00pm)

このセミナーでは、EPC社が執筆したGaN FET技術のテキストを拡張し、どのようにGaNのHEMT(高移動度トランジスタ)が動作するかを説明します。このセッションでは、高性能、高周波の電力変換向けのドライバ、レイアウト、熱の考察を示すなど、これらのデバイスを使用する方法を説明します。GaN技術の実用時の値を示すために、高周波の包絡線追跡(ET)、中間バス・コンバータ(IBC)、ワイヤレス・パワー伝送などのいくつかの用途を紹介します。このセミナーでは、新たに出現したこの代替技術の将来を展望して結論とします。

EPC社のエキスパートによるGaN FET関連の技術的なプレゼンテーション:

• ラウンドテーブル・ディスカッション

– 「ワイド・バンドギャップ半導体:プライム・タイム、それとも希望?」
講演者:Alex Lidow
3月19日(火)(セッション2、5:00 pm~6:30 pm)

• 技術セッション

– 「高周波の設計、寄生インダクタンスを低減した低損失eGaNコンバータ」
講演者:David Reusch、Johan Strydom
3月20日(水)(DC-DC Converters、2:00pm~5:30pm)

– 「包絡線追跡にeGaN FETを使う」
講演者:Johan Strydom:
3月20日(水)(IS2.2.4、8:30am~10:15am)

– 「eGaN FETが低電力、高周波の無線エネルギーを可能にする」
講演者:Michael de Rooij
3月20日(水)、(IS2.2.3、8:30am~10:15am)

–「eGaN FETベースのHF共振コンバータ」
講演者:David Reusch
3月21日(木)(IS1.4.5、8:30am~11:30am)

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。