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Efficient Power Conversion、耐圧200 VのeGaN FETを搭載した電源システムの設計を簡素化する開発基板を製品化

EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN® FETとを組み合わせて搭載しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。

開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。

EPC9004は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる面積2インチ×1.5インチ(1インチは2.54 cm)の単一基板に、専用ゲート・ドライバを含むすべての重要な部品を搭載することによって、高性能eGaN FETの評価プロセスを単純化します。加えて、波形測定と効率計算を単純化にするために、基板上にさまざまなプローブ・ポイントを備えています。使いやすさと参照のために、クイック・スタート・ガイドが含まれています。

耐圧200 VのeGaN FETである EPC2012は、無線充電、磁気共鳴画像装置(MRI)などの用途や、スマート・メーター通信などの低いRF周波数を使う用途での使用に理想的です。

開発基板EPC9004の単価は95.00米ドルです(米国での参考価格)。EPC社のすべての製品と同様に、Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入でき、即座に配送されます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。