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市場をリードするeGaN FET のEfficient Power Conversion(EPC)社、中国EDN China誌 のイノベーションを先導する2012年製品賞を受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2012年11月15日、中国EDN China誌のInnovation Award 2012のパワー・デバイスとモジュールの分野で、リーディング・プロダクト賞を受賞したと発表しました。8年目となるEDN China 誌のInnovation Award 2012は、エレクトロニクス設計の世界的なエンジニアやマネージャの投票によって革新的な製品と認められるベンチマークとなるイベントです。

「EDN China誌から業界をリードする製品と認められたことを光栄に思います。EPC2012は、シリコン・ベースのMOSFETよりも高性能な代替品として顧客に採用されている当社のeGaN FETファミリーの製品です」とEfficient Power Conversion社のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

EPC2012は、高周波スイッチング可能なEPC社の耐圧200 Vの第2世代エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・パワー・トランジスタです。鉛フリーで欧州の規制RoHS(特性物質の使用規制)準拠のパッケージで特性を強化されています。

EPC2012 は、面積1.7 mm×0.9 mm、耐圧200 V、ゲート電圧 5 Vでの最大オン抵抗RDS(ON) が100 mΩで、パルス電流の定格は15 Aです。

EPC2012は、同等のオン抵抗で最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、小型で、スイッチング特性は何倍も優れています。eGaN FETの特性が貢献する用途には、RF包絡線追跡、ワイヤレス・パワー伝送、高速DC-DC電源、POL(負荷点)コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングで高周波の回路などがあります。

eGaNであるEPC2012のデータシートはhttp://epc-co.com/epc/製品/eGaNFET/EPC2012.aspxで入手できます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EDN China誌について

EDN China誌のInnovation Award 2012は、世界中の70社以上の企業からさまざまな分野において128の製品がノミネートされました。この賞は、9つの主要な技術分野、すなわち、パワー・デバイスとモジュール、組み込みシステム、マイクロプロセッサ/DSP、プログラマブル・ロジック、アナログ/デジタル混在IC、テストと計測、開発ツールとソフトウエア、受動部品とセンサー、通信/ネットワーク用ICで構成されます。技術者が最も好む代理店、地域の最も好む革新的な企業、および、最も好む革新的な技術者も選出されました。EDN China誌は、電子機器の設計や知識交換に焦点を当てた中国で最初の雑誌として20年以上前に創刊されました。40万人以上の読者が登録しています。詳細については、ウエブサイト(www.ednchina.com)をご覧ください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。