ニュース

新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する か、22828に「EPC」とテクスティングしてください

Efficient Power Conversion(EPC)、米EE Times誌の新技術の新興ベンチャーのシリコン60リストに選出

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2012年10月8日、米EE Times誌の新興ベンチャーのシリコン60社リストに選出されたと発表しました。これらの企業は、技術、ターゲット市場、成熟度、財政状態、投資プロファイル、および経営幹部のリーダーシップなどの基準の組み合わせに基づいて、EE Times誌の編集チームによって選ばれます。

「最もホットな新興エレクトロニクス企業の1社として、EE Times誌に認められたことは非常に光栄です。同誌は「今後も注目すべき新興企業」としています」とEfficient Power Conversion社CEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)はコメントしています。

最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、EPC社のeGaN® FETは、小型で何倍も優れたスイッチング特性を備えています。eGaN FETの強化された特性の恩恵を受ける用途には、RF包絡線追跡ワイヤレス・パワー伝送、高効率DC-DC電源POL(負荷点)コンバータ、D級オーディオ・アンプなどがあります。EPC社は、GaN技術のコストがシリコンMOSFET技術よりも下がるというロードマップを発表しており、成熟したパワーMOSFETとIGBT(絶縁型バイポーラ・トランジスタ)の数10億米ドル市場を全体的に置き換える道を築いています。

EPC社のeGaN FETファミリーの詳細は、http://epc-co.com/epc/jp/製品/gan-fetとicをご覧ください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

タグ: 受賞