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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FETが優れた安全動作領域機能を実現したと発表

eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation)は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域(SOA)データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。

SOAは、抵抗性の接合部から熱を逃がすデバイス能力の指標です。発生した熱を除去することで、より高効率なデバイスほど、熱抵抗が小さく、SOA特性が向上します。

EPCのeGaN FETは、今日の高性能アプリケーションに必要なパワーMOSFETよりも大きな優位性があります。eGaN FETは、優れたオン抵抗RDS(on)が得られると同時に、その正の温度係数は、チップ内のホット・スポットの発生を抑制し、優れた安全動作領域特性が得られます。

EPCのeGaN FETの安全動作領域を説明したアプリケーション・ノートは、http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdfから入手できます。さらに、EPCは、SOA特性曲線を含めるように各製品のデータシートを更新しています。

EPCのeGaN FETのこの他のアプリケーションや設計情報を下記から入手できます:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。