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GaNオン・シリコンに基づくFETが新しい用途を育てる

過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン(GaNオン・シリコン)・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。

Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月

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