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eGaN FET、産業用POLコンバータにおける効率と電力密度を向上

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直流24 Vのシステムで使われるPOL(負荷点)コンバータの設計者は、伝統的に、コストが高い絶縁型コンバータと、周波数と効率が低いバック(降圧型)・コンバータとの間で決めなければなりませんでした。コンピューティング・システムにおいて一般的な12 VのPOLコンバータと比べて、より高い電圧の24 VのPOLコンバータでは、スイッチ・ノードのリンギングに対応するためにFETの電圧を少なくとも40 Vに高くするので、転流と出力容量COSSの損失が大きくなります。EPC社のeGaN FETは、出力容量を充放電するとき、QGDが非常に小さいので転流損失を低減でき、QOSSが小さいので低損失にできます。さらに、EPC社のeGaN FETのウエハー・レベル・パッケージである革新的なランド・グリッド・アレイ(LGA)は、高周波のパワー・ループとゲート駆動ループの両方ともに超低インダクタンスにできます。最も重要なのは、これらのループに共通の経路は、共通ソース・インダクタンス(CSI)として知られ、電流の転流損失の最小化に役立ちます。eGaN FETの電荷とCSIが小さいことによって、伝統的なMOSFETのように、効率を犠牲にすることなく、周波数をより高くすることで電力密度をより高められます。

David Reusch博士、アプリケーション部門ディレクタ
Stephen L. Colino、セールス&マーケティング部門バイス・プレジデント

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