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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、2013年のDarnellのエネルギー・サミットで窒化ガリウム(GaN)の技術とアプリケーションについてプレゼンテーション

EPC社のCEO(最高経営責任者)とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する本会議の招待講演を含む半日セミナーと技術的プレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)の世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年8月27日、Darnellの2013年エネルギー・サミットで、教育セミナーと、数件のアプリケーションに焦点を当てた技術的なプレゼンテーションを行ないます。このコンファレンスは、9月9日から12日まで米国テキサス州ダラスで開催されます。

このサミットは、1つのコンフアレンスの中に、効率的な電力変換、グリーン・ビルディング設計、スマート・グリッド・エレクトロニクスを組み込んでいます。このプレゼンテーションは、次世代電力システムの開発を成功させるために必要とされる先進的な電力変換技術に焦点を当てています。パワー・エレクトロニクスとエネルギー効率の現実的な進歩を非常に重要視するソリューション指向のイベントです。

「Darnellエネルギー・サミットは、教育セミナーの講演にEPCエキスパートを選び、これらのコンファレンスでGaN技術に焦点を当てた技術論文を発表できることは注目すべきことです。この選択は、エネルギー効率の改善に関心がある人に、GaN技術の優れた特性への興味と認知度を高めることに貢献し続けます」とEPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語りました。

教育セミナー:効率的な電力変換のためのGaNトランジスタ
講演者:Alex Lidow、David Reusch
9月9日(月)9:00 a.m.~12:30 p.m.

このセミナーでは、EPCによって執筆されたGaN FET技術のテキストについて詳述し、GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)がどのように働くかを説明します。さらに、このセッションでは、高性能、高周波の電力変換向けのドライバ、レイアウト、および熱的考察を示すなど、これらのデバイスの利用法についても議論します。現実世界でのGaN技術の価値を示し、効率的なDC-DC変換、高周波の包絡線追跡、およびワイヤレス・パワー伝送などのいくつかの用途についてプレゼンテーションします。このセミナーは、この新しく登場した置き換え技術の将来に触れて締めくくります。

GaN FETに関連するEPCのエキスパートによる技術プレゼンテーション:

• 本会議
「GaN:1度で1つのシリコンのアプリケーションを粉砕する」
講演者:Alex Lidow
​9月10日(火) セッション2.1、1:45 p.m.

• 技術セッション 
「高周波ハード・スイッチング・コンバータ用eGaN® FET」
講演者:Johan Strydom、David Reusch
9月11日(水) セッションDPF:10.2、3:15 p.m.

「プリント回路基板レイアウトの最適化によってeGaN® FETの特性を改善」
講演者:David Reusch
9月12日(木) DPF:7.2、9:00 a.m.

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータリモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation:Joe Engle、310.986.0350、[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。