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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、eGaN FETファミリーを拡張し、100V、16mΩのパワー・トランジスタを発売

窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2016は、DC-DC電力変換において、比類のない特性で高周波スイッチングを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年9月12日、エンハンスメント・モード窒化ガリウムのパワー・トランジスタのファミリーに、新たに「EPC2016」を加え、製品化しました。

EPC2016は、ゲート駆動電圧5Vでの最大オン抵抗RDS(on)が16mΩ、面積3.36 mm2、耐圧VDSが100V、最大ドレイン電流IDが11Aのデバイスです。このGaNパワー・トランジスタは、超高速なスイッチング周波数、非常に低いRDS(on)、並外れて低いQGによって高性能を提供でき、さらに、非常に小さなパッケージに収めました。

同等のオン抵抗を備えた最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、EPC2016は、はるかに小型で、スイッチング特性は何倍も優れています。eGaN FETのこの特性が貢献する用途には、高速DC-DC電源、POL(負荷点)コンバータ、D級オーディオ・アンプ、高周波回路などがあります。

「EPC2016は、当社の既存のeGaN FETファミリーへの優れた補完です。ゲート電荷と出力容量が低いので、電力変換の用途で著しくスイッチング損失を低減します」と、EPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

ハーフブリッジ構成にしたEPC2016とゲート・ドライバICのLM5113を搭載した開発基板EPC9010も用意しました。この開発基板は、電力変換システムの中にeGaN FETを組み込み、評価する設計者に役立ちます。

EPC2016の1000個購入時の単価は1.61米ドルです(米国での参考価格)。 Digi-Key社から購入できます。

eGaN FETに関する設計情報とサポート:

表1 新製品EPC2016の仕様の概要

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]