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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、150Vのパワー・トランジスタを製品化、eGaN FETファミリーを拡張

窒化ガリウム・パワー・トランジスタのEPC2018は、DC-DC電力変換やD級オーディオの用途で並外れた特性の高速スイッチングを実現します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年9月18日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのファミリーに、新しい製品「EPC2018」を追加しました。

EPC2018は、ゲート駆動電圧5Vでの最大オン抵抗RDS(on)が25mΩ、面積5.76 mm2、耐圧VDSが150V、最大ドレイン電流IDが12Aのデバイスです。このGaNパワー・トランジスタは、超高速なスイッチング周波数、非常に低いRDS(on)、並外れて低いQGによって高性能を提供でき、さらに、非常に小さなパッケージに収めました。

同等のオン抵抗を備えた最先端技術のシリコン・パワーMOSFETと比べて、EPC2018は、非常に小さく、スイッチング特性は何倍も優れています。eGaN FETのこの特性が貢献する用途には、高速DC-DC電源、POL(負荷点)コンバータ、D級オーディオ・アンプ、さらには、ナノ秒のスイッチング速度を必要とするこの他の多くの回路などがあります。

「EPC2018は、当社の既存のeGaN FETファミリーへの優れた補完です。低いオン抵抗、低出力容量、高速スイッチング、および逆回復がないことは、電力変換用途でのスイッチング損失を低減し、D級オーディオ用途では、効率を高め、音質の向上が可能です」と、EPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。

EPC2018の1000個購入時の単価は6.54米ドルです(米国での参考価格)。Digi-Key社から購入できます。

eGaN FETに関する設計情報とサポート:

表1 新製品EPC2018の仕様の概要

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]