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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、数GHz帯で増幅可能な窒化ガリウム・トランジスタ・ファミリーの製品を拡大、パワー・トランジスタとRFトランジスタの間の境界をあいまいに

パワー・システムやRFの設計者は今、低いGHz帯で増幅可能な高性能GaNパワー・トランジスタを利用できるようになったので、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)・パワーFETの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年9月26日、高速、高性能トランジスタのEPC8000ファミリーの製品を拡大しました。

パワー・トランジスタの新天地を切り開くこれらの第3世代デバイスは、スイッチング遷移速度がサブナノ秒程度なので、10MHz以上のハード・スイッチングの用途で使うことができます。たとえ10MHz以上で設計されたとしても、これらの製品は、低いGHz帯において十分高い利得が得られ、非常に優れた小信号RF特性を示すため、RF用途で競争力の高い選択肢になり得ます。

「当社のeGaN FETの革新的な新しいファミリーが、どのように業界を変えるかに非常に興奮しています。これらの製品によって、EPC社および窒化ガリウム・トランジスタ技術は、特性をMOSFETの能力を越えた応用を可能にする水準に押し上げます。当社は今、パワー半導体とRF用途の両方で使うことができるeGaN FETを実現しました」と、EPC社の共同創立者でCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

このファミリーの製品は、オン抵抗(内部抵抗)が125mΩ~530mΩで、3種類のブロッキング電圧、すなわち40V、65V、100Vがあります。これらの新しいトランジスタは、高性能窒化ガリウムFETが提供する利点を設計者が十分に利用できるようにするいくつかの新しい特徴を備えています。これらの特徴には、ゲート-ドレイン間電荷QGDの低減を含み、これによる電圧遷移時のスイッチング損失の低減、高いdv/dt耐性を提供するミラー比の改善、ゲートとドレインの両方の回路への接続を改善するための低インダクタンスのパッド、CSI(共通ソース・インダクタンス)の低減を強化するためのゲート回路とドレイン回路との間の直交する電流の流れ、CSIの低減を強化するための分離されたゲートの戻り接続などがあります。

低電力、小型、高周波のEPC8000ファミリーが貢献する用途の例には、数MHz帯で動作するハード・スイッチングのパワー・コンバータや、RFパワー・アンプの包絡線追跡、携帯機器を無線で充電する高共鳴ワイヤレス・パワー伝送システムなどがあります。

ハーフブリッジ構成のデバイスEPC8007とゲート駆動IC(LM5113)を搭載した開発基板EPC9027を用意しています。それらの電力変換システムの中で他のEPC8000ファミリーの製品を評価し組み込むときに、設計者をサポートするための別の開発基板も用意しています。

EPC8000ファミリーの製品仕様書:

 

EPC8000ファミリーの製品の評価ユニットの価格は、10個のパックで430米ドルからの予定です(米国での参考価格)。Digi-Key 社のウエブ(http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja)で購入できます。

eGaN FETに関する設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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