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Efficient Power Conversion(EPC)、大電流用途向けに並列接続した100Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN) FETを紹介するための開発基板を発売

開発基板EPC9017は、電流特性と効率を向上させるために、最適なレイアウト技術を使った並列動作のeGaN FETを搭載しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年10月3日、eGaN FET利用の大電流、高降圧比の中間バス・コンバータ(IBC)用ハーフブリッジ開発基板「EPC9017」を発売しました。このアプリケーションでは、2つのローサイド(同期整流用)FETが並列接続されているので、1つのハイサイド(制御用)FETと比べて、はるかに長い期間、導通することができます。eGaN FETは、シリコンMOSFETと比べて、優れた電流分割能力があるので、並列動作向けに適しています。この開発基板は、極めて低いインダクタンスのパッケージに基づいた最適なレイアウトにおけるEPC社の開発の拡張です。

開発基板EPC9017は、エンハンスメント・モード(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)であるEPC2001を搭載し、ゲート駆動機能を備えたハーフブリッジ構成で、最大デバイス電圧は100V、最大出力電流は20Aです。このハーフブリッジは、1個の上側のデバイスと2個の下側のデバイスで構成され、大電流でデューティ比が小さい用途向けに最適です。

この開発基板は、面積2インチ×1.5インチで、最適なスイッチング特性を得るために、すべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。簡単に波形を測定し、効率計算ができるように、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。

クイック・スタート・ガイド(http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9017_qsg.pdf)には、参考および使いやすさのために、開発基板EPC9017が含まれています。

開発基板EPC9017の単価は、130米ドル(米国での参考価格)で、Digi-Key社のウエブ(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion)で購入でき、即時に配送されます。

eGaN FETに関する設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]