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電力効率96%でプロ音質のサウンド:EPCがeGaN® FET搭載デモ・ボードを製品化、省スペース設計で高品質のオーディオ特性を実現

D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク(冷却器)が不要です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2013年11月21日、150W、8ΩのD級オーディオ・アンプ用リファレンス・デザイン「 EPC9106」を製品化しました。このデモ・ボードは、ブリッジ接続負荷(BTL:Bridge-Tied-Load)設計を採用し、4つのグラウンド基準のハーフブリッジ出力段で構成され、設計のスケーラビリティと拡張性を備えています。D級オーディオ・システムの音響特性に影響を与える要素のすべてが、eGaN FETベースのシステムで最小化されるか除去されています。

EPC9106は、テキサス・インスツルメンツ社の100Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ LM5113 と連携するeGaN FET(EPC2016)を搭載しています。この基板は、高音質なサウンドを実現でき、この専用eGaNドライバと一緒に使ったとき、高周波スイッチング動作可能なeGaN FETの特性によって小型化が可能です。高効率なので、EPC9106の設計では、どのようなヒートシンクも、まったく必要ありません。これは、にEMI(電磁干渉)/EMC(電磁環境適合性)放射の低減にも潜在的に貢献します。

eGaN FET、ドライバ、コイル、入出力コンデンサを搭載したパワー・ブロックEPC9106は、面積11mm×11mmと超小型のレイアウトです。小さいにもかかわらず、リファレンス・デザインEPC9106は、150W、8Ωで効率96%、250W、4Ωで効率92%を実現しています。

D級オーディオ用eGaN FETに関して、特にこのデモ・ボードに関して、さらに詳しく知りたい場合は、下記でEPCに連絡することによって、トレーニングを積んだEPCのフィールド・アプリケーション・エンジニアが訪問する日程を設定することができます。

eGaN FETの設計情報とサポート:

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータワイヤレス・パワー伝送包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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