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イベント
ニュース
ウエビナ
PCIM Europe 2023
リファレンス・デザインの技術パートナ
技術パートナは、最先端の設計にeGaN FETとICを組み込む方法を示します
セレクタ・ガイド
DC-DC
ベンダー
型番
概要
Vin
Vout
Iout
搭載eGaN FET
スウェーデンFlex Power Modules社
BMR313
安定化していない非絶縁型デジタルIBC、1 kW連続/3 kWピーク
38 V – 60 V
9.5 V – 15 V
80 A
EPC2218
ルネサスエレクトロニクス
ISL71040MEV1Z
耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバ評価基板
4.5V - 13.2V
EPC2022
ルネサスエレクトロニクス
ISL81807EVAL1Z
広い入力範囲の2相評価基板
12 V – 36 V
36V/48V/60V/80V
20.5 A
EPC2218
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP4435
48Vin、300Wの1/8ブリック・デジタル・モジュール
36V - 60V
12V
25A
EPC2021
米テキサス・インスツルメンツ社
LMG5200POLEVM-10
48 V入力、1 V出力のGaN負荷点(POL)評価モジュール
36V – 75V
0.5V – 1.5V
50A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP4497
48 V入力、1 V出力の1段のコンバータ
36V - 60V
1V
40A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
TIDA-01634
高速DC / DCコンバータ向けの
数MHzのGaNパワー段リファレンス・デザイン
0V - 60V
10A
EPC2039
EPC8009
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP22519
データセンターの2段54 V POL向けの安定化していないLLCモジュールのリファレンス・デザイン
40V-60V
6.6V-10V
75A
EPC2045
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP20978
GaNの同期整流付き1 kWの共振コンバータ
390V
48V
21A
EPC2033
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP22089
28 V入力、1 V出力の1段のコンバータ
24V – 32V
0.5V - 1.0V
40A
EPC2023
米テキサス・インスツルメンツ社
PMP4486
48 V入力、POL出力、3出力(1段のコンバータ)
36V – 60V
1V, 12V, & 29V
40 A, 10 A, & 10 A
EPC2023
D級オーディオ
ベンダー
型番
概要
Vin
Vout
Iout
搭載eGaN FET
Elegant Audio Solutions
評価キットeGaNAMP2.1
高性能D級eGaN FETアンプのプラットフォーム
EPC2016C
Elegant Audio Solutions
eGaNAMP2016
高性能D級eGaN FETアンプのモジュール
EPC2016C
LiDAR
ベンダー
型番
概要
最大パルス
(A)
パルス幅
eGaN搭載製品
米テキサス・インスツルメンツ社
LMG1020EVM-006
LiDAR評価モジュール
40
1 ns - 2 ns
EPC2019
米テキサス・インスツルメンツ社
TIDA-01573
LiDAR用ナノ秒レーザー・ドライバのリファレンス・デザイン
60
1 ns
EPC2019
モーター駆動
ベンダー
型番
概要
直流入力
1相当たりの最大電流
スイッチング周波数
搭載eGaN FET
独シーメンス社
SDI-TAPAS
300 WのDCブラシレス・モーター駆動
12 V - 48 V
30 A
最高600 kHz
EPC2021
サポート資料
アプリケーション・ノート:eGaN FETとICのアセンブリ
ビデオ:eGaN FETとICのアセンブリ
このほかの設計
DrGaN
PLUS
非常に小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要なすべての部品を統合する概念設計の実証
開発基板
ハーフブリッジ開発基板には、最適なスイッチング特性を得るために、単一基板上にすべての重要な部品が搭載され、レイアウトされています
評価キット
全回路の評価キットは、完全に機能する設計において、EPCのeGaN FETとICの特性を実証できます