EPC9003C:200 Vのハーフブリッジ開発基板

開発基板EPC9003Cは、エンハンスメント•モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2010Cを搭載し、ゲート駆動機能を備えたハーフブリッジ構成で、最大デバイス電圧は200 V、最大出力電流は5Aです。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETであるEPC2010Cの評価プロセスを単純化することです。

EPC9003C WaveformsEPC9003Cの波形 operation as a 170 V to 5 V / 5 A (100 kHz) buck converter
CH1: PWM Input – CH4: (VOUT) Switch node voltage

EPC9003C Parameters Table* Assumes inductive load, maximum current depends on die temperature – actual maximum current with be subject to switching frequency, bus voltage and thermal cooling.
# Dependent on time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.