VDS（最大値）、100 V
ID（最大実効値）、20 A
ハーフブリッジとドライバ
開発基板EPC9017は、ゲート駆動回路を搭載し、耐圧100V、最大出力電流20Aで動作するエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001をハーフブリッジ構成にして搭載しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータの中に容易に接続することができる単一基板の上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2001の評価プロセスを単純化することです。