EPC9047:開発基板

EPC9047:150 Vのハーフブリッジ開発基板

EPC9047は、デバイスの最大電圧150 V、最大出力電流12 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)の EPC2033 を搭載しています。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETである EPC2033 の評価プロセスを単純化することです。

EPC9047 Waveform Chart110 Vから5 V/12 A(100kHz)へのバック・コンバータとして動作したときの波形
CH1:VPWM入力電圧、CH2:(IOUT)スイッチ・ノード電流、CH4:(VOUT)スイッチ・ノード電圧

EPC Development Board
(1) Maximum input voltage depends on inductive loading, maximum switch node ringing must be kept under 150 V for EPC2033.
(2) Maximum current depends on die temperature – actual maximum current is affected by switching frequency, bus voltage and thermal cooling.
(3) When using the on board logic buffers, refer to the NCP51820 datasheet when bypassing the logic buffers.
(4) Limited by time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.