EPC9060 : 40 V, 25 A のハーフブリッジ開発基板
EPC9060は、デバイスの最大電圧40 V、最大出力電流25 Aで、ゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスは、エンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2030を搭載しています。
この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2030の評価プロセスを単純化することです。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90139を提案しています。