EPC9205：GaNパワー・モジュール、
最高1 MHzのDC-DC変換向けにEPC2045を搭載
密度 ＞ 1400 W / 立方インチ
EPC9205は、80 V、10 Aのプリント回路基板ベースのパワー・モジュールで、窒化ガリウムのパワー・トランジスタで得られた高性能の「プラグ・アンド・プレイ」評価用に100 VのeGaN® FET であるEPC2045を搭載しています。
パワー・モジュールEPC9205は、電力密度が1400 W / 立方インチを超え、ハーフブリッジ構成の2個のeGaN FET（EPC2045）を備え、搭載した台湾のuPI Semiconductor社のゲート・ドライバuP1966Eと組み合わせています。この基板には、スイッチング特性を最適化するためのすべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあり、既存の任意のシステムに簡単に接続できます。