EPC90124:開発基板

EPC90124: 200 V, 8 Aの開発基板

EPC90124の開発基板

開発基板EPC90124は、エンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2053を搭載し、最大デバイス電圧200 V、最大出力電流8 Aでゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジです。

The EPC90124 development board is 2” x 2” and contains two EPC2207 eGaN FETs in a half bridge configuration using the Texas Instruments LMG1210 gate driver.

GaN FETのEPC2053の評価プロセスを単純化するために、既存の任意のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載しています。ビデオ:EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか?
GaNエキスパートに聞く